《Journal Of Crystal Growth》创刊于1967年，国际标准简称：J CRYST GROWTH，由Elsevier出版，是材料科学-CRYSTALLOGRAPHY兼具学术深度与实践导向的国际权威刊物。
- 出版周期：Biweekly
- 出版语言：Multi-Language
- 出版国家或地区：NETHERLANDS
期刊信息
非官网，仅提供咨询
WOS期刊JCR分区
Q3
中科院期刊分区
4区
CiteScore指数
3.6
年发文量
306
中文名称
晶体生长杂志
中国学者近期发文
Growth of 4H-SiC epitaxial layers at temperatures below 1500 degrees C using trichlorosilane (TCS)
Author: Yang, Shangyu; Zhao, Siqi; Chen, Junhong; Yan, Guoguo; Shen, Zhanwei; Zhao, Wanshun; Wang, Lei; Zhang, Yang; Liu, Xingfang; Sun, Guosheng; Zeng, Yiping
Biomineralization inspired crystal growth for biomimetic materials preparation
Author: Wang, Yihua; Liu, Zhaoming; Pan, Haihua; Tang, Ruikang
Green synthesis of NdOHCO3 via a carbon dioxide carbonatation process in mild conditions
Author: Hua, Yong; Wang, Dong; Cui, Zhenjie; Guo, Jianwei; Cao, Jianwei; Wang, Zhi
Nonisothermal crystallization kinetics of potassium chloride produced by stirred crystallization
Author: Zheng, Dan; Xu, Menglin; Wang, Jiao; Ma, Yulan; Tian, Yongqi; Shen, Yueqiu; Wu, Xieping; Yang, Meihui
Numerical simulation of flow and mass transfer during growth of the long seed KDP crystals under 2D translation method
Author: Liu, Hang; Li, Mingwei; Chen, Duanyang; Qi, Hongji; Hu, Yue; Chen, Shuxian; Xiao, Yi
Estimation of hole mobility in hydrogen-terminated diamond MOSFET with high-k stacked gate dielectrics
Author: Li, Yao; Wang, Xi; Pu, Hongbin
Direct comparison of silicon carbide and silicon diode avalanche shaper in multi-pulse applications
Author: Guo, Dengyao; Zhou, Yu; Tang, Xiaoyan; Zhang, Yuming
Epitaxy of tungsten on polycrystalline molybdenum using chemical vapor transport deposition technology
Author: Xie, Yajuan; Tan, Chengwen; Yu, Xiaodong; Zhu, Hao; Nie, Zhihua
Impact of Br-doping on the optical and optoelectronic properties of CsPbCl3 crystals
Author: Wang, Qing; Gong, Zheng; Wu, Shufan; Pan, Shangke; Pan, Jianguo
Enhancing ultraviolet response of NiO/Si heterojunction by high temperature anneal
Author: Wang, Xi; Li, Yao; Pu, Hongbin; Hu, Jichao; Xu, Jianning; Qiu, Mingxuan; Fang, Jueyuan
WOS期刊JCR分区
| 按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 17 / 33 |
50% |
| 学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 321 / 438 |
26.8% |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 125 / 179 |
30.4% |
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
| 学科：CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q3 | 19 / 33 |
43.94% |
| 学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 249 / 438 |
43.26% |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 104 / 179 |
42.18% |
中科院期刊分区表
中科院期刊分区表 2023年12月升级版
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|
材料科学
4区
|
CRYSTALLOGRAPHY
晶体学
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学：综合
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
3区
4区
4区
|
否 | 否 |
中科院期刊分区表 2022年12月升级版
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|
材料科学
3区
|
CRYSTALLOGRAPHY
晶体学
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学：综合
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
3区
4区
4区
|
否 | 否 |
中科院期刊分区表 2021年12月旧的升级版
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|
材料科学
3区
|
CRYSTALLOGRAPHY
晶体学
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
材料科学：综合
3区
3区
4区
|
否 | 否 |
CiteScore
| CiteScore | SJR | SNIP | 学科 | 排名 | 百分位 |
| CiteScore：3.6 | SJR：0.379 | SNIP：0.768 |
大类：Physics and Astronomy
小类：Condensed Matter Physics
Q2
|
205 / 434 |
52% |
|
大类：Physics and Astronomy
小类：Inorganic Chemistry
Q2
|
40 / 79 |
50% |
|||
|
大类：Physics and Astronomy
小类：Materials Chemistry
Q3
|
162 / 317 |
49% |
投稿提示
Journal Of Crystal Growth是材料科学的国际权威学术期刊，由Elsevier出版发行，自1967年创刊以来，是发表化学-晶体学研究成果的国际核心期刊，也是相关领域科研评价、成果认定与学术展示的重要载体，为全球科研人员提供了重要的学术交流平台。根据最新期刊引证报告数据，该刊2023年影响因子为1.7，CiteScore达3.6，综合学术指标居国际前列。在JCR分区中，期刊按JIF指标学科分区中：CRYSTALLOGRAPHY，MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY等多个学科均位于Q3区；按JCI指标学科分区中：CRYSTALLOGRAPHY，MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY等多个学科均位于Q3区；在中科院期刊分区表中属于材料科学大类4区，期刊H指数高达136，学术影响力与行业认可度长期保持稳定。
Journal Of Crystal Growth作为一本国际权威期刊，该刊2023年发文量306篇，审稿周期 约2.6个月 约10周，录用流程透明高效，同时被SCIE国际权威数据库收录。期刊自引率控制在合理范围，近三年有预警记录，反映该刊的学术信誉可能受损，投稿该刊时请谨慎评估。